平面や自由曲面の研磨には回転円板型工具を使用し、回転と移動を与えます。（図-4参照）
鏡面度に加えて平面度の確保が必要の場合はオスカー式研磨機を使います。（図-5参照）
小径円筒内面では加工物の内径に合せて作成した工具に回転と往復動を与えます。（図-6参照）
円筒外面も同様です。
このようにして電解砥粒研磨を行うと、切削加工による2～3μmRyの粗さの下地面を数分間で0.05μmRyレベルの平滑な鏡面に仕上げることが出来ます。
研磨条件が整えば0.001μmRa（1nmRa）の超鏡面度の達成も可能です。
次ページに平板と円筒内面の電解砥粒研磨データ例を示します。
弊社取締役の清宮紘一が、長年（独）産業技術総合研究所（旧 機械技術研究所）にて研究してきた技術が、弊社が世界に誇る”電解砥粒研磨”技術です。
電解砥粒研磨は、5～20kPa（50～200ｇ/cm2）程度の押付圧で砥粒研磨しながら、電流密度0.1A/cm2オーダーの直流電流を付加する加工法です。
この程度の電流密度の電解では、加工表面に厚い不導態皮膜が形成されて金属の溶出は殆ど起こらず、加工は進みません。
しかしながら、ここで砥粒擦過によりその皮膜が除去されると、その部分では金属の溶出が盛んに起こり、電流効率は数十～100％レベルまで急上昇します。（図-3参照）
このようにして、ミクロ凸部を選択的に砥粒が擦過すると電解溶出量が急増大する一方、凹部の加工量がゼロに近いため、表面粗さは急速に改善されます。
